Samsung Menggulirkan peta jalan Untuk membawa chipnya ke teknologi proses 3nm

Node 3nm akan menjadi teknologi proses manufaktur yang sepenuhnya baru. Samsung akan menggunakan arsitektur GAA (Gate all-around) generasi yang akan datang buatan sendiri, MBCFET (multi-bridge-channel FET)

Bejagadget.com – Di Minggu lalu, Samsung mengadakan Forum Foundry tahunan di AS, dimana pada acara tersebut, perusahaan mengungkapkan peta jalan yang mengambil teknologi proses manufaktur chip ke 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early dan 3nm Gate-All-Around Early/Plus.

Menurut rincian yang terungkap, Proses LPP 7nm akan menjadi yang pertama dari Samsung untuk menggunakan solusi litografi EUV dan harus siap diproduksi selama paruh kedua tahun ini.

Tapi, produksi massal suku cadang yang menggunakan proses baru itu akan dimulai pada paruh pertama tahun 2019. Itu bersamaan dengan pesaingnya yaitu TSMC yang juga akan memulai produksi massal suku cadang menggunakan node 7nm + (juga menggunakan litografi EUV), dan memulai produksi risiko dari node 5nm.

Di tahun yang sama, Samsung juga akan memulai memproduksi chip berdasarkan 5nm LPE yang akan memberikan konsumsi daya ultra-rendah. Dan yang terakhir dari chip untuk menggunakan FinFET akan diproduksi menggunakan proses Awal / Plus Rendah Daya adalah chip 4nm yang akan mulai berproduksi pada 2020. Chips yang dibuat dengan teknologi proses ini akan menampilkan peningkatan kinerja dan ukuran sel yang lebih kecil.

Sementara itu, Node 3nm akan menjadi teknologi proses manufaktur yang sepenuhnya baru. Perusahaan asal negeri Korea Selatan itu akan menggunakan arsitektur GAA (Gate all-around) generasi yang akan datang buatan sendiri, MBCFET (multi-bridge-channel FET). Untuk produksinya sendiri, Chip dengan Node 3nm diperkirakan tidak akan dimulai hingga 2022.

Source Digitimes
Artikel Terkait